MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251 (TSM900N06CH X0G)
Part Number: TSM900N06CH X0G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 6A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 500pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 25W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-251 (IPAK)
- Корпус: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Цена по запросу